ระบบสืบค้นข้อมูลปัญหาพิเศษ
| ผลของการตัดเปลือกเมล็ดและการใช้สาร Gibberellin (GA3) ต่อการงอกและการเจริญเติบโตของบวบหอม อาจารย์ที่ปรึกษา : อาจารย์ ดร.พิษณุ แก้วตะพาน หลักสูตร : แขนงวิชาเทคโนโลยีการผลิตพืช 
ดูบทคัดย่อ การวิจัยนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อศึกษาวิธีการทาลายการการพักตัวของบวบหอมร่วมกับการใช้สารจิบเบอเรลลิน (Gibberellin (GA3)) ในระดับความเข้มข้นที่แตกต่างกัน โดยนาเมล็ดบวบหอมที่ตัดเปลือกเมล็ดแล้วแช่สาร GA ความเข้มข้น 0, 50, 100 และ 200 ppm ในภาชนะทึบแสง เป็นเวลา 24 ชั่วโมง แล้วนาไปเพาะในถาดหลุมที่ใช้พีทมอสเป็นวัสดุปลูกพร้อมกับเมล็ดบวบหอมที่ไม่ได้ตัดเปลือกเมล็ดและไม่แช่สาร Gibberellin (GA3) ( ชุดควบคุม ) เพาะเมล็ดเป็นเวลา 14 วัน โดยเก็บข้อมูลทุกวันเพื่อหาเปอร์เซ็นต์ความงอก , ความเร็วในการงอก และความสูงของต้นกล้า ผลการทดลองพบว่า วิธีตัดเปลือกเมล็ดร่วมกับแช่สาร Gibberellin (GA3) ที่ระดับความเข้มข้น 100 ppm เป็นวิธีทาลายการพักตัวที่เหมาะสมที่สุด มีเปอร์เซ็นต์การงอกเท่ากับ 98% ความเร็วในการงอกเท่ากับ 7.48 และความสูงของต้นกล้าเฉลี่ยเท่ากับ 24.40 เซนติเมตร การวิจัยนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อศึกษาวิธีการทาลายการการพักตัวของบวบหอมร่วมกับการใช้สารจิบเบอเรลลิน (Gibberellin (GA3)) ในระดับความเข้มข้นที่แตกต่างกัน โดยนาเมล็ดบวบหอมที่ตัดเปลือกเมล็ดแล้วแช่สาร GA ความเข้มข้น 0, 50, 100 และ 200 ppm ในภาชนะทึบแสง เป็นเวลา 24 ชั่วโมง แล้วนาไปเพาะในถาดหลุมที่ใช้พีทมอสเป็นวัสดุปลูกพร้อมกับเมล็ดบวบหอมที่ไม่ได้ตัดเปลือกเมล็ดและไม่แช่สาร Gibberellin (GA3) ( ชุดควบคุม ) เพาะเมล็ดเป็นเวลา 14 วัน โดยเก็บข้อมูลทุกวันเพื่อหาเปอร์เซ็นต์ความงอก , ความเร็วในการงอก และความสูงของต้นกล้า ผลการทดลองพบว่า วิธีตัดเปลือกเมล็ดร่วมกับแช่สาร Gibberellin (GA3) ที่ระดับความเข้มข้น 100 ppm เป็นวิธีทาลายการพักตัวที่เหมาะสมที่สุด มีเปอร์เซ็นต์การงอกเท่ากับ 98% ความเร็วในการงอกเท่ากับ 7.48 และความสูงของต้นกล้าเฉลี่ยเท่ากับ 24.40 เซนติเมตร  เล่มสมบูรณ์ |  คำนิยม | เนื้อหาบวบหอม | บทคัดย่อ | ใบรับรองปัญหาพิเศษ | ปกใน | สารบัญ | หน้าปก |